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외국 언론 보도에 따르면 MIT의 과학자들은 새로운 유형의 트랜지스터를 개발했습니다. 새로운 트랜지스터는 재료의 원자 구조의 구멍을 통해 전류를 통과하며, 이는 현재 트랜지스터보다 약 4 배 빠릅니다.
속도를 높이기 위해 과학자들은 다른 실리콘 층과 실리콘 복합 제품에 게르마늄을 배치했습니다. 나중에, 게르마늄 원자는 실리콘 층과 결합되었다. 텐션 재료는 최상의 재료 구조를 원래 구조보다 더 컴팩트하게 만들었습니다. 우리가 등나무를 사용하여 식물의 모양을 바꾸는 것처럼 들립니다.
소형 구조는 게르마늄 재료 사이의 구멍이 더 단단 해지고 트랜지스터 속도는 대부분의 현재 실험 설계의 두 배이며 시장의 트랜지스터 속도는 4 배입니다.
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